LEEM-8 Магнитрезистивдүү Эффект Эксперименталдык Аппараты

Кыскача сүрөттөмө:

Эскертүү: осциллограф кошулган эмес

Түзүлүш жөнөкөй жана мазмуну бай. Ал эки түрдүү сенсорлорду колдонот: магниттик индукциянын интенсивдүүлүгүн өлчөө үчүн GaAs Холл сенсору жана ар кандай магниттик индукциянын интенсивдүүлүгүндөгү InSb магниттик каршылык сенсорунун каршылыгын изилдөө үчүн. Студенттер изилдөө жана долбоорлоо эксперименттери менен мүнөздөлгөн жарым өткөргүчтүн Холл эффектин жана магниттик каршылык эффектин байкай алышат.

Бизге электрондук кат жөнөтүңүз

Продукциянын чоо-жайы

Продукциянын тегдери

Эксперименттер

1. InSb сенсорунун каршылыгынын өзгөрүшүн колдонулган магнит талаасынын интенсивдүүлүгүнө салыштырып изилдеңиз; эмпирикалык формуланы табыңыз.

2. InSb сенсорунун каршылыгын магнит талаасынын интенсивдүүлүгүнө салыштырмалуу график түзүңүз.

3. Алсыз магнит талаасынын шартында (жыштыкты эки эселөө эффектиси) InSb сенсорунун AC мүнөздөмөлөрүн изилдөө.

Техникалык мүнөздөмөлөрү

Сүрөттөмө	Техникалык мүнөздөмөлөрү
Магниттик каршылык сенсорунун кубат булагы	0-3 мА жөнгө салынуучу
Санариптик вольтметр	0-1.999 В диапазону, чечилиши 1 мВ
Санариптик милли-тесламетр	диапазону 0-199.9 мТ, чечилиши 0.1 мТ