LEEM-8 Magnetoresistive Effect Experimental Apparatus Featured Image

LEEM-8 Magnetoresistive Effect Эксперименталдык Аппараты

Кыска сүрөттөмө:

Өнүмдүн чоо-жайы

Өнүмдүн тегдери

Эскертүү: осциллограф киргизилген эмес

Аппарат түзүлүшү жөнөкөй жана мазмунуна бай. Мында эки түрдөгү сенсор колдонулат: магнит индукциясынын интенсивдүүлүгүн өлчөө үчүн GaAs Hall сенсору жана InSb magnetoresistance сенсорунун ар кандай магнит индукциясы интенсивдүүлүгүндө каршылыгын изилдөө. Студенттер изилдөө жана долбоорлоо эксперименттери менен мүнөздөлгөн жарым өткөргүчтүн Холл эффектин жана магнитосезистен таасирин байкай алышат.

Эксперименттер

1. InSb сенсорунун каршылыгынын берилген магнит талаасынын интенсивдүүлүгүнө карата өзгөрүүсүн изилдөө; эмпирикалык формуланы табуу.

2. InSb сенсорунун туруктуулугун жана магнит талаасынын интенсивдүүлүгүн чагылдыруу.

3. InSb сенсорунун алсыз магнит талаасындагы өзгөрүлмө токтун мүнөздөмөлөрүн изилдеңиз (жыштыкты эки эсе көбөйтүү эффектиси).

Техникалык мүнөздөмөлөр

Сүрөттөмө	Техникалык мүнөздөмөлөр
Магнито-каршылык датчигинин электр кубаты	0-3 мА жөнгө салынат
Санарип вольтметр	диапазону 0-1.999 V чечилиши 1 мВ
Санарип милли-Тесламетр	диапазону 0-199,9 мТ, чечилиши 0,1 мТ